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半極性氮化鎵（Semipolar GaN）是第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵的一種特殊晶體取向形態(tài)。傳統(tǒng)的氮化鎵器件大多在極性面上生長，這會導(dǎo)致材料內(nèi)部產(chǎn)生強(qiáng)大的極化電場，從而引發(fā)“量子限制斯塔克效應(yīng)”（QCSE）。該效應(yīng)會使得電子和空穴在空間上分離，顯著降低發(fā)光器件的復(fù)合效率，尤其是在制造綠光及更長波長的LED時(shí)，效率會嚴(yán)重下降。

為了克服這一難題，半極性氮化鎵應(yīng)運(yùn)而生。通過在特定的傾斜角度上生長氮化鎵晶體，可以有效削弱甚至消除內(nèi)部的極化電場。 這種獨(dú)特的晶體結(jié)構(gòu)能夠顯著抑制量子限制斯塔克效應(yīng)，從而大幅提升電子與空穴的復(fù)合效率，進(jìn)而提高光電器件的內(nèi)部量子效率。

正是由于這一核心優(yōu)勢，半極性氮化鎵在高效率的光電器件領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。它被廣泛認(rèn)為是制造高性能綠色、黃色LED以及激光二極管（LDs）的關(guān)鍵材料。 雖然其生長技術(shù)相較于傳統(tǒng)極性氮化鎵更為復(fù)雜且成本更高，但隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，半極性氮化鎵正憑借其卓越的性能，在固態(tài)照明、高清顯示及激光技術(shù)等前沿應(yīng)用中扮演著越來越重要的角色。